Peregrine Semiconductor développe avec IBM Microelectronics un processus de nouvelle génération pour les semi-conducteurs CMOS RF

La technologie UltraCMOS de Peregrine fournit des niveaux de performance et d’intégration monolithique RF sans précèdent pour les applications à forte croissance tels que : les appareils sans fil mobiles multi-bande et multi-modes, les frontaux RF de téléphones mobiles; les communications à large bande incluant les équipements LTE 4G et les stations de base ; le conditionnement des signaux RF de télévision mobile numérique et par câble (DTV/CATV) ; et les systèmes de satellites spatiaux.

IBM, leader international dans la microélectronique, ajoute la technologie UltraCMOS de Peregrine à ces capacités de production de semi-conducteur avancé. Ce développement marque la première utilisation commerciale des tranches de 200 mm (8-inch) en technologie silicium sur saphir -- une variation brevetée de la technologie du silicium sur isolateur (SOI) qui associe une couche ultra fine de silicium sur un substrat de saphir hautement isolé – un événement important qui guidera la prochaine décennie de l‘ingénierie UltraCMOS.

Nous sommes enchantés de travailler avec Peregrine sur la génération à venir de circuits RF sur saphir et d’étendre notre leadership sur les substrats isolants en ajoutant le processus UltraCMOS de 180 nm à notre portefeuille des technologies RF SOI de classe mondiale, déclare Regina Darmoni, directeur de l’activité Fonderie signal analogique/mixte et numérique d’IBM.

La migration vers les tranches de 200 mm facilite l’évolution du processus vers des géométries avancées de 180 nm, 130 nm et 90 nm. Elle fournit aussi un accès aux ensembles d’outils de fabrication avancés et permet un élargissement significatif des possibilités d’intégration du numérique. De plus, l’accord avec IBM fournit - à travers ses partenaires de classe mondiale de l’Alliance Technologique - des niveaux de fabrication sans précédent et une chaîne d’approvisionnement robuste.

“Nous sommes extrêmement fiers de développer les générations futures d’UltraCMOS avec l’un des leaders mondiaux en technologie de semi-conducteur,” affirme Jim Cable, président et PDG de Peregrine Semiconductor. “Notre société se consacre depuis longtemps au changement technologique dans la RF en apportant notre procédé RF de silicium sur saphir au marché mondial. En combinant les forces de nos deux compagnies, nous continuons à valider la loi de Moore pour la CMOS RF de haute performance.”

La collaboration entre les deux firmes a débuté en 2008 avec l’utilisation du CMOS dans les conceptions RF qui est apparue comme une alternative viable aux processuss de semi-conducteur tel que l’arséniure de gallium (GaAs). Les avantages du CMOS incluent la fiabilité, le faible coût, le haut rendement, la portabilité, l’évolutivité et l’intégration, soit tout ce que l’UltraCMOS sait faire. En outre, Peregrine est connu pour ses inventions et ses propriétés intellectuelles en ingénierie avec la technologie UltraCMOS avancée. L’une de ses premières innovations étant la méthodologie de conception HaRP™, laquelle a procuré des niveaux inégalés en performance harmonique. Plus récemment, Peregrine a introduit la technologie DuNE™, qui produit des condensateurs ajustables innovants. Ils sont réglables numériquement ce qui résout, enfin, les défis de conceptions très anciens du réglage RF.

“La réalisation de notre processus UltraCMOS 180 nm sur des tranches de saphir de 200 mm est une phase très importante de notre stratégie de développement de procédés sur le long terme,” commente Mark Miscione, vice-président et directeur de la stratégie pour les solutions stratégiques de Peregrine Semiconductor. “Tout au long de ces dernières années, nous avons investi un capital et des efforts conséquents avec nos partenaires pour renforcer la chaîne d’approvisionnement SOS et améliorer la rentabilité des matériaux basés sur le substrat saphir. Cela a été reconnu par l’acceptation mondiale de la technologie SOS, comme en témoignent les quelques 600 millions de circuits RF UltraCMOS qui ont expédiés été expédiés depuis nos fonderies ces dernières années. Ces améliorations ont été alimentées par le volume gigantesque de saphir qui est maintenant utilisé par l’industrie de l’éclairage DEL qui se déploie rapidement.”

Les premiers circuits intégrés UltraCMOS 180 nm ont été testés par un client clé et la production commerciale est prévue pour 2011. Le planning des produits initiaux inclut des frontaux RF cellulaires configurables sous la forme de commutateurs RF de forte puissance, de composants réglables et d’amplificateurs de puissance.