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Meilleure linéarité de sa classe pour le commutateur RF SP4T de Peregrine Semiconductor

10th February 2010
ES Admin
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Peregrine Semiconductor Corporation, fournisseur de circuits intégrés RF CMOS et à signaux mixtes les plus avancés de l’industrie, annonce le PE42440, son nouveau commutateur RF SP4T (unipolaire à quatre directions). Le PE42440, conçu selon la technologie verte silicium sur substrat saphir (SOS) UltraCMOS™ de Peregrine, se caractérise par une excellente performance RF à large bande allant de 50 MHz jusqu’à 3 GHz. Ce commutateur amélioré par HaRP™ délivre la meilleure linéarité de sa classe. Ce commutateur est donc idéal pour : la commutation cellulaire TRx d’usage général et en 2,4 GHz pour l’industrie, les bandes radios scientifique et médical (ISM) ; le réglage d’antenne ; le banc de filtrage réglage/commutation dans une large gamme d’applications, incluant les radios cellulaires et les modules radio ; le réglage d’antenne pour bande UHF à 3 GHz ; le réglage d’antenne RFID ; l’ISM à 2,4 GHz ; et enfin les Femtocells et autres applications industrielles.

“Nous continuons à repousser les limites de notre portefeuille de circuits intégrés RF, en atteignant une performance avec l’UltraCMOS que ne peut égaler des circuits basés sur GaAs et autres SOI,” déclare Mark Schrepferman, directeur de la ligne des produits de communications et industriels chez Peregrine. “Aucun autre commutateur RF SP4T sur le marché n’est capable de fournir une si vaste association de caractéristiques exceptionnelles que le notre. Ce circuit est donc idéal pour beaucoup d’applications RF d’usage général actuellement sur le marché. Quand vous additionnez tous les avantages environmentaux du SOS, il est clair que l’UltraCMOS est le meilleur choix par rapport aux circuits basés sur GaAs, et aux problèmes croissants des déchets d’équipements électroniques (D3E ou e-Waste).”.

Ce nouveau commutateur réflectif PE42440 délivre la meilleure performance RF du marché, inégalée par la concurrence : une IIP3 de +67 dBm et une P1dB de 41,5 dbm (entre la plage) ; perte d’insertion de 0,45 dB; et un isolement très élevé de 34 dBm (à 1 GHz). Ce commutateur à 50 Ohms de puissance d’entrée maximum de +33 dBm (de 500 MHz à 3 GHz,) a une tolérance aux décharges électrostatiques ESD de classe mondiale de 4 kV HBM sur tout le brochage. Ces caractéristiques supplémentaires incluent : la logique de contrôle CMOS intégrée, le décodeur de contrôle à deux broches qui accepte le contrôle en 1,8 V et en 2,75 V, et une résistance série ON basse de 4,5 Ohms. Une broche d’alimentation Vdd unique élimine le besoin d’une alimentation multiple et de séquence à la mise sous tension (power up) ce qui est typique dans les circuits concurrents. Comme tous circuits RF UltraCMOS basés SOS, ce circuit se règle rapidement sans délai de porte ou de dérive de perte d’insertion, et sans nécessiter de condensateurs non bloquants.

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