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National Semiconductor présente le premier driver de LED du marché, à réserve dynamique, pour applications haute puissance
National Semiconductor a annoncé aujourd'hui le premier driver de LED du marché à commande d'espace libre dynamique et sorties multiples pour applications haute puissance, capable de piloter précisément et efficacement jusqu'à quatre chaines de LED. Le LM3464, membre de la famille de circuits à rendement optimisé PowerWise® de National, optimise le rendement tout en réduisant la complexité et le coût du système, pour les applications...
National Semiconductor Introduces Industry’s First 2A, Single Inductor, RGB LED Driver for Portable Projectors
Compact LM3435 with I2C Control Interface Drives LEDs Sequentially
National Semiconductor Introduces New SolarMagic ICs for Microinverter, Power Optimizer and Charge Controller Systems
National Semiconductor Corp. today introduced ten new SolarMagic integrated circuits (ICs), the first in a series developed to reduce cost, improve reliability and simplify design of photovoltaic (PV) systems.
National Semiconductor Introduces Industry’s First 20V Synchronous Buck Controller to Integrate Key Four Features
National Semiconductor announced a new synchronous voltage-mode buck controller that drives a variety of high-current point-of-load applications in printers, telecom, networking and embedded computing applications.
National Semiconductor Introduces Industry’s First 100V Half-bridge Gate Driver for Enhancement-mode Gallium-Nitride Power FETs
National Semiconductor has introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. National’s new LM5113 is a highly-integrated, high-side and low-side GaN FET driver that reduces component count by 75 percent and shrinks printed circuit board (PCB) area by up to 85 percent compared to discrete driver de...
National Semiconductor Introduces Industry’s First Full-bridge PWM Controllers with Integrated MOSFET Gate Drivers
National Semiconductor Corp. today introduced the industry’s first full-bridge pulse width modulation (PWM) controllers to integrate all four primary-side bridge MOSFET gate drivers. The LM5045 and LM5046 are well-suited for delivering higher efficiency and higher power density in quarter-brick and eighth-brick power modules used in a variety of high input voltage communications infrastructure applications.
Torex Integrates Two Synchronous Step-Down DC/DCs In One Package
The new XCM517 Series multi-chip module (MCM) from Torex Semiconductor combines two XC9235/XC9236 synchronous step-down DC/DC converters in a space saving ultra small USP-12B01 (2.8mm x 2.3mm x 0.6mm) package. These highly integrated devices are suitable for space conscious battery-driven applications, such as mobile phones, PDAs, digital cameras and other portable equipment.
Une paire de MOSFET de Diodes Incorporated réduit les pertes des moteurs à courant continu
Destiné aux applications de contrôle de moteurs sans balais à courant continu de basse puissance, monophasés et triphasés, le boîtier à deux MOSFET complémentaires DMC4040SSD de Diodes Incorporated se caractérise par une bonne correspondance des valeurs de Rds(on) du MOFSET canal N et du MOSFET canal P, ce qui équilibre et minimise les pertes dans les moteurs à courant continu.
Diodes Incorporated introduit le premier produit en boîtier powerdi5060 à performances thermiques renforcées
Le MOSFET 30 V canal P à performances thermiques renforcées DMP3010LPS de Diodes Incorporated est le premier à bénéficier de son boîtier powerDI5060, dont la technologie unique apporte aux concepteurs de notebooks, de netbooks et autres produits d'électronique grand public une plus grande fiabilité, tout en réduisant l'espace occupé sur la carte.
De nouveaux MOSFET auto-protégés de Diodes Incorporated renforcent la protection des charges inductives
Diodes Incorporated enrichit sa famille de MOSFET auto-protégés IntelliFET® en introduisant les ZXMS6006DG/SG (monocanal) et ZXMS6006DT8 (double canal). Ces MOSFET canal N de 60 V, 75 m? typique intègrent des fonctions d'arrêt thermique et de protection contre les courts-circuits, les surtensions, les surintensités et les décharges électrostatiques, ce qui augmente spectaculairement la fiabilité des circuits. Destinés aux applications a...