Search results for "SiC MOSFET"

Les transistors bipolaires NPN et PNP 20 V en boîtier ultra miniature CMS DFN1411-3 de Diodes Incorporated offrent une importante migration en terme de densité de puissance et d'efficacité des circuits de gestion d'énergie. Les transistors ont été conçus dans la technologie bipolaire à matrice d'émetteur de 5e génération de Diodes.

Le convertisseur AP5100 step-down de Diodes Incorporated a été conçu avec l'objectif d'occuper moins de place et d'apporter un meilleur rendement dans des applications comme les décodeurs, les modems et autres solutions de puissance. Conditionné dans un boîtier compact SOT26 6 broches, ce convertisseur de faible coût se distingue par la présence d'un MOSFET de puissance intégré et par une fonction de compensation interne, ce qui rédui...

Agilent Technologies announced the availability of an NXP Semiconductors' design kit for RF small-signal products within Agilent's Advanced Design System (ADS). The design kit provides NXP's customers with easy access to comprehensive libraries of models within ADS for NXP's RF wideband devices, diodes, junction FET's, dual-gate MOSFET's and MMIC's. With the new design kit, customers can run simulations in ADS prior to moving to prototype. This ...

ON Semiconductor fournisseur majeur de solutions silicium performantes à haut rendement énergétique pour une électronique plus verte, étend son offre de transistors de puissance MOSFET canal-N avec l'addition de 12 nouveaux composants 100V. Les nouveaux MOSFET de puissance canal-N d'ON Semiconductor présentent les meilleures caractéristiques d'avalanche du marché, avec des valeurs jusqu'à 500 millijoules (mJ), et sont testés à 100%. Ce...

ON Semiconductor will showcase its newest Light Emitting Diode (LED) lighting solutions at the Strategies in Light Europe conference Sept. 27-29 in Frankfurt, Germany.

ON Semiconductor has introduced the NUS6189, a device that integrates the performance and functions of an overvoltage protection (OVP) circuit, a 30 volt (V) P-channel power MOSFET, a low VCE(sat) transistor and a low Rds(on) power MOSFET into a space-saving 3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm package. The NUS6189 is designed to protect sensitive electronic circuitry from overvoltage transients and power supply faults. It is optimized for applications that ...

ON Semiconductor has expanded its market leading power switching product offering with the introduction of a high-voltage power MOSFET portfolio including 500 volt (V) and 600 V devices. These new solutions are designed for the robust needs of high voltage, energy conversion applications such as Power Factor Correction (PFC) and Pulse Width Modulation (PWM) stages, where faster turn-on and reduced dynamic power losses are crucial. Specifically, t...

ON Semiconductor, a premier supplier of high performance silicon solutions for energy efficient electronics, has introduced the CAT2300 current mirror with switch controller, that when combined with the company’s NTMFS4833NS or NTMFS4854NS SENSEFET Power MOSFET devices, provides a compact, efficient solution for current monitoring. This combination of new devices enables system level power management in applications such as portable compute...

ON Semiconductor has introduced the industry’s first integrated bi-directional device, with positive and negative (+/-) overvoltage protection (OVP) for cell phones, MP3/4, PDAs and GPS systems, and overcurrent protection (OCP) for portable accessories such as FM transceiver, loud speakers and flash modules.

National Semiconductor Corp. (NYSE : NSM) a présenté aujourd'hui le LM3466, un driver de LED, linéaire et hautement intégré, simplifiant la conception de systèmes d'éclairage de grande puissance, destinés à l'éclairage de zones étendues, comme par exemple des réverbères. Le LM3466, associé à quelques composants passifs seulement, constitue un système complet capable de piloter chaque chaîne de LED à partir de n'importe quelle al...