Search results for "SiC MOSFET"

International Rectifier lance les régulateurs de tension iPowIR iP1837 et iP1827 pour les applications de proximité ou POL (point-of-load) telles que les serveurs et les équipements de stockage, de transmission de données et de télécommunications nécessitant un courant élevé.

International Rectifier lance une famille de MOSFET de puissance DirectFETplus, sa dernière génération de puces silicium établissant une nouvelle référence de rendement pour les applications d’abaissement synchrone à entrée 12 V telles que les serveurs, ordinateurs de bureau et ordinateurs portables.

International Rectifier lance aujourd’hui le circuit de commande 600 V AUIRS2191S et le transistor IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) NPT (non-punch-through) 600 V AUIRGP50B60PD1 à destination des applications automobiles DC-DC à fort rendement énergétique.

International Rectifier lance une famille de MOSFET 100 V hermétiques et durcis aux radiations (RAD-Hard) encapsulés dans un boîtier SMD0.2 compact et de type montage en surface . Ces composants sont destinés aux applications spatiales telles que les alimentations des bus de tensions et des charges embarquées dans les satellites.

CISSOID, leader des solutions semi-conducteurs pour les applications à haute température, introduit VENUS, une nouvelle famille de transistors de puissance 30V MOSFET de type P dont le fonctionnement est garanti de -55°C à +225°C. Les composants de la famille VENUS de P-MOSFETs nommés CHT-PMOS3002, CHT-PMOS3004 and CHT-PMOS3008 sont prévus pour des courants de drain maximum respectifs de 2A, 4A and 8A. Ils complémentent la famille SATURN...

CISSOID, leader des solutions semi-conducteurs pour les applications à haute température, introduit un nouveau produit dans leur famille PLANET de transistors haute température. MARS est un transistor petits signaux, MOSFET canal-P, 30V, prévu pour fonctionnement en toute fiabilité de -55°C à +225°C. Sa robustesse aux températures extrêmes, sa capacité d’entrée de seulement 14pF et son courant de fuite de gate limité à 400nA à 22...

CISSOID, leader des solutions semi-conducteurs pour les applications à haute température, annonce RHEA, un lien de transmission de données à haute température avec isolation galvanique de 2.5kV, fiable de -55°C à +225°C. CHT-RHEA est une puce émetteur-récepteur qui supporte deux canaux full-duplex (2 émetteurs et 2 récepteurs). L’isolation magnétique est assurée sur chaque canal par un petit transformateur d’impulsions dont le d...

CISSOID, the leader in high-temperature and high-reliability semiconductor solutions, announced today it has joined PRIMES, the research center for power electronics based in Tarbes, France. Founded in 2001, PRIMES is a research and innovation platform gathering tier-1 players of the industry and five academic research laboratories.

CISSOID has unveiled PROMETHEUS, said to be the industry's first driver for power transistors suitable for operation from -55°C up to +225°C. The reference design drives Silicon Carbide transistors and can be adapted to other devices such as MOSFET, IGBT, JFET, BJT and GaN. PROMETHEUS, Cissoid’s next product within its TITAN family of high temperature drivers, was selected by HISPANO-SUIZA for the development of a multi-KW power inverter demo...

C-MAC MicroTechnology and CISSOID have agreed a strategic partnership that will lead to the development of high reliability components, modules and sub systems for high temperature applications operating up to 225°C. The two companies combine a wealth of design and manufacturing experience in high temperature microelectronics and will expand their existing customer relationships in the oil, gas, aerospace, defence, automotive and space industr...