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IR étend son catalogue de MOSFET de puissance moyenne tension en boîtier PQFN en utilisant une technologie de clip cuivre
International Rectifier annonce l’extension de son catalogue de MOSFET de puissance HEXFET avec une famille complète de composants moyenne tension, disponible en boîtier PQFN 5x6 mm avec clip de cuivre.
IR lance des MOSFET de puissance DirectFET®2 pour les amplificateurs audio automobiles en classe D
International Rectifier vient d’introduire une famille de MOSFET de puissance DirectFET®2 destinés aux applications automobiles de commutation haute fréquence telles que l’étage de sortie des amplificateurs audio classe D.
IR lance les régulateurs DC-DC compacts et flexibles, à entrée unique, iP1837 et iP1827 pour les applications à fort courant nécessitant une densité et un rendement élevés
International Rectifier lance les régulateurs de tension iPowIR iP1837 et iP1827 pour les applications de proximité ou POL (point-of-load) telles que les serveurs et les équipements de stockage, de transmission de données et de télécommunications nécessitant un courant élevé.
Jusqu’à +2% d’amélioration du rendement pour les applications à découpage DC-DC avec la nouvelle famille de MOSFET de puissance DirectFET®plus d’IR
International Rectifier lance une famille de MOSFET de puissance DirectFETplus, sa dernière génération de puces silicium établissant une nouvelle référence de rendement pour les applications d’abaissement synchrone à entrée 12 V telles que les serveurs, ordinateurs de bureau et ordinateurs portables.
IR lance des solutions discrètes de forte densité, à puissance et vitesse élevées pour les applications DC-DC automobiles à fort rendement énergétique
International Rectifier lance aujourd’hui le circuit de commande 600 V AUIRS2191S et le transistor IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) NPT (non-punch-through) 600 V AUIRGP50B60PD1 à destination des applications automobiles DC-DC à fort rendement énergétique.
Des MOSFET sertis dans un nouveau boîtier SMD0.2 breveté réduisent fortement la taille et le poids du système dans les applications spatiales
International Rectifier lance une famille de MOSFET 100 V hermétiques et durcis aux radiations (RAD-Hard) encapsulés dans un boîtier SMD0.2 compact et de type montage en surface . Ces composants sont destinés aux applications spatiales telles que les alimentations des bus de tensions et des charges embarquées dans les satellites.
CISSOID introduit une nouvelle famille de transistors MOSFET de puissance Canal-P pour Haute Température
CISSOID, leader des solutions semi-conducteurs pour les applications à haute température, introduit VENUS, une nouvelle famille de transistors de puissance 30V MOSFET de type P dont le fonctionnement est garanti de -55°C à +225°C. Les composants de la famille VENUS de P-MOSFETs nommés CHT-PMOS3002, CHT-PMOS3004 and CHT-PMOS3008 sont prévus pour des courants de drain maximum respectifs de 2A, 4A and 8A. Ils complémentent la famille SATURN...
Diodes Incorporated étend la protection des ports USB avec des commutateurs de puissance à un seul canal
Diodes Incorporated a ajouté 8 composants à sa gamme de produits de commutation de puissance à un seul canal. Optimisés pour fonctionner dans des applications USB2.0/3.0 auto-alimentées ou alimentées via le bus et dans d'autres applications, en 3-5V avec insertion à chaud, les circuits de commutation de puissance high-side à limitation de courant AP23x1 et AP21x1D constituent des solutions complètes de protection pour la gamme de courant...
Les transistors de petites tailles de Diodes Incorporated contribuent à la miniaturisation des produits
Les transistors bipolaires NPN et PNP 20 V en boîtier ultra miniature CMS DFN1411-3 de Diodes Incorporated offrent une importante migration en terme de densité de puissance et d'efficacité des circuits de gestion d'énergie. Les transistors ont été conçus dans la technologie bipolaire à matrice d'émetteur de 5e génération de Diodes.
Des amplificateurs opérationnels de Diodes Incorporated améliorent la performance en audio
Avec une densité de bruit en entrée de seulement 8 nV/√Hz à 1 kHz, l’amplificateur double canal APX4558 de Diodes Incorporated répond au besoin d’augmenter la performance sans faire grimper les coûts de la nomenclature.