Texas Instruments présente des MOSFET de puissance à impédance thermique réduite sur la face supérieure pour le refroidissement des applications DC/DC à courants élevés

Composée de 5 composants MOSFET, cette nouvelle famille permet aux concepteurs de systèmes informatiques et de télécommunication d’utiliser des processeurs à courant plus élevé et d’augmenter la mémoire, tout en économisant de la place sur la carte. Présentés dans un boîtier sophistiqué, ces MOSFET peuvent être utilisés dans une vaste gamme d’applications, notamment dans les ordinateurs personnels de bureau, serveurs, équipements de télécommunication ou de mise en réseau, stations de base et systèmes industriels à courants élevés.

« Nos clients demandent des alimentations électriques DC/DC offrant des courants plus élevés et un moindre encombrement pour répondre aux besoins d’augmentation de la puissance de traitement qui se font ressentir sur le vaste marché des infrastructures, a souligné Steve Anderson, directeur de la division Gestion d’énergie au niveau monde de TI. Les MOSFET de puissance DualCool NexFET répondent à ces besoins en conduisant plus de courant pour un même facteur de forme. »

Atouts et caractéristiques clés des MOSFET de puissance DualCool NexFET :
• MOSFET convertisseurs-abaisseurs synchrones monophasés 35 A, utilisant des MOSFET uniques pour les commutateurs côté haut et côté bas dans les applications DC/DC à courants élevés.

• Boîtier à technologie avancée, réduisant l’impédance thermique vers le haut du boîtier de 10-15° C/W à 1,2° C /W, ce qui augmente la capacité de dissipation thermique jusqu’à 80 %

• L’efficacité de la dissipation thermique sur les deux faces permet de faire passer jusqu’à 50 % de courant supplémentaire dans le FET, ce qui donne aux concepteurs la souplesse nécessaire pour utiliser des processeurs à intensité supérieure sans augmenter la taille de l’équipement final.

• Le boîtier SON standard avec un encombrement de 5 mm x 6 mm facilite la conception et contribue à réduire les coûts, puisqu’il permet d’économiser 30 mm2 par rapport à l’utilisation de deux boîtiers standards.