semiSemiSouth introduit le transistor SiC de puissance de plus faible résistance du marché, pour une gestion plus efficace de l’énergie

SemiSouth Laboratories, Inc., le fournisseur leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, lance une nouvelle classe de JFET SiC de puissance normalement fermés à tranchée, de spécifications record de 45 mΩ et 1200 V. Ces dispositifs de pointe s'adressent à de nombreuses applications, incluant les inverseurs solaires ; les alimentations à découpage ; le chauffage à induction ; les alimentations ininterruptibles ; les applications éoliennes ; et les commandes de moteurs. Ce produit, qui est le sixième de la famille de JFET SiC à tranchée lancée en 2008, affiche la plus faible résistance à l'état passant du marché mondial des transistors SIC.

La résistance à l'état passant maximum (RDS(on)max) record de seulement 0,045 Ω est obtenue avec une surface de puce relativement petite, donnant une faible charge de grille et une faible capacité intrinsèque et assurant un fonctionnement efficace, à faibles pertes à haute fréquence. Présentant un coefficient de température positif pour faciliter sa mis en parallèle, le nouveau JFET SJDP120R045 offre en outre une fréquence de commutation extrêmement rapide sans « courant de queue », même à sa température de fonctionnement maximum de 175°C en boîtier TO-247. Ce produit est aussi disponible sous forme de puce nue (SJDC120R045) pour les fabricants de modules. Ce JFET est contrôlé en tension et il existe de nombreuses schémas de commande de grille, disponibles sur demande avec designs de référence complets et notes d'application.

« Les semiconducteurs SiC de puissance de SemiSouth délivrent une performance à la pointe de l'industrie pour un prix compétitif, » affirme Dieter Liesabeths, directeur des ventes. « Les pertes de commutation de ces nouveaux JFET sont trois ou quatre fois plus faibles que celles des dispositifs concurrents, et ils offrent une résistance passante jusqu'à 50% plus faible, des coûts réduits, et une fiabilité améliorée. Avec nos solutions simples de commande de grille, il est facile d'avancer qu'ils sont plus faciles à commander que des MOSFET. Les JFET sont proposés en boîtiers TO-247 (SJDP120R045) et en puce nue (SJDC120R045) pour être intégrés dans des modules d’alimentation de haute performance et haut rendement. Nous enregistrons une adoption rapide de ce produit par nos clients sur les marchés des inverseurs solaires, des secteurs automobile, médical, éolien, des alimentations industrielles et d’autres encore. » .