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SemiSouth propose de nouvelles diodes SiC 1200 V / 5 A en boîtier DPAK à montage en surface

26th September 2011
ES Admin
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SemiSouth Laboratories, Inc., fabricant majeur de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, lance de nouvelles diodes 1200 V / 5 A en boîtier compact DPAK (TO-252) pour montage en surface, qui apporte la distance de sécurité nécessaire et n’exige pas de broche centrale.
Comme de nombreuses diodes SiC de SemiSouth, le nouveau modèle SDB05S120 présente un coefficient de température positif pour faciliter la mise en parallèle. La réponse en commutation est indépendante de la température et la température de fonctionnement maximum est de 175°C. Les nouvelles diodes ont aussi un courant et une tension de recouvrement inverse nuls. Leur empreinte est de 0,85 x 0,260 pouce (2,16 x 0,66 cm) avec un profil de 0,090 pouce (0,23 cm).

Nous avons conçu ces composants pour faciliter leur emploi au maximum, explique Dieter Liesabeths, VP Ventes et Marketing de SemiSouth, avec de nombreuses fonctions qui permettent aux ingénieurs de bénéficier rapidement et facilement des avantages de la technologie SiC.

Les principales applications de ces nouvelles diodes SiC sont dans le domaine des micro inverseurs photovoltaïques, mais elles sont aussi très bien adaptées aux alimentations à découpage, aux circuits de correction du facteur de puissance, aux applications de chauffage à induction, aux alimentations ininterruptibles et aux commandes de moteurs.

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