Power Integrations annonce la disponibilité de la famille de diodes innovantes Qspeed

Lorsqu’une diode de silicium PN est polarisée en inverse et se bloque, le courant tombe rapidement à zéro puis circule brièvement en sens inverse à travers la diode, le temps que la jonction PN bascule de la conduction au mode bloqué. Le produit de ce temps et du courant négatif (c’est-à-dire, la surface sous la courbe du courant en fonction du temps, sur la durée de commutation) définit la charge de recouvrement inverse, ou QRR. Cette charge QRR s’écoule dans la masse à travers d’autres dispositifs du système en dissipant son énergie sous forme de chaleur, ce qui réduit le rendement et peut élever la température de composants coûteux comme les MOSFET. Les diodes Qspeed ont la valeur de QRR la plus basse de toutes les diodes de faible coût en silicium. Elles supplantent les diodes de silicium ultra rapides dans les applications PFC et de redressement qui exigent un meilleur rendement ou une température moins élevée, et elles remplacent les diodes SiC dans les applications à prix concurrentiels.

La pente de recouvrement inverse d’une diode génère un bruit électrique par EMI qu’il convient de filtrer pour le ramener à un niveau assez bas pour éviter sa conduction vers l’alimentation secteur ou la charge, ou son rayonnement vers des systèmes voisins. Les diodes Qspeed ont une pente doucement graduée, essentiellement sinusoïdale et sans harmoniques de haute fréquence, ce qui réduit les émissions EMI conduites et rayonnées. La taille, le coût, le poids et la complexité des circuits de filtrage en sont réduits, ainsi que le coût de développement et de prototypage associés à la suppression des EMI.

Atteignant une performance à la pointe de l’industrie sans utiliser de matériaux exotiques et coûteux, les diodes Qspeed permettent de concevoir des systèmes de haut rendement à coût modéré. Il existe trois familles de diodes 600 V : la série X, optimisée pour les fréquences de commutation de moins de 80 kHz, et les séries Q et H pour les fréquences supérieures à 80 kHz. La série Q présente la pente de recouvrement la plus douce, pour offrir la meilleure performance EMI. La série H offre la chute de tension à l’état passant (VF) et la charge QRR les plus faibles, pour le meilleur rendement. En plus des modèles 600 V, des diodes Qspeed de 300 V offrent d’excellentes solutions de commutation pour les applications de redressement en sortie et les applications audio.

« Outre leur emploi en correction de facteur de puissance, les diodes Qspeed peuvent remplacer les diodes de sortie de type Schottky, en particulier dans les alimentations haute tension à fort courant, pour circuits télécom et audio, » commente Stuart Hodge, directeur de marketing produit chez Power Integrations. « Dans ces applications, les diodes Qspeed réduisent spectaculairement la tension inverse de crête, et la pente douce de recouvrement permet souvent d’éliminer complètement le réseau limiteur d’oscillations (snubber), abaissant le coût et la complexité de la conception tout en élevant le rendement. »

Power Integrations a acquis Qspeed Semiconductor en décembre 2010. Tous les membres des familles de diodes innovantes Qspeed sont à présent disponibles sur le site de Power Integrations, à des prix unitaires démarrant à 0,43 $ pour 1 000 pièces (modèle LXA03T600 de 3 A, 600 V). Les informations techniques complètes, incluant une vidéo de présentation, les fiches techniques et des notes d’application, sont disponibles sur le site web de Power Integrations à l’adresse www.powerint.com/qspeed, avec un outil de sélection qui permet aux concepteurs de choisir aisément la diode convenant à leur application.