Home > Industries > Microchip enrichit sa gamme de SRAM série avec les composants les plus denses et les plus rapides du marché

French

Microchip enrichit sa gamme de SRAM série avec les composants les plus denses et les plus rapides du marché

11th September 2012

Microchip Technology Ltd

ES Admin

0 0

Microchip annonce l’ajout de quatre nouveaux composants à son portefeuille de SRAM série, qui affichent tous les meilleures densités et vitesses du marché. Ce sont également les premières SRAM série du marché à avoir une tension de fonctionnement de 5 V, très courante dans les applications automobiles et industrielles. Ces composants SPI économiques de 512 Kb et 1 Mb, comme les autres composants du portefeuille, ont une faible consommation et sont présentés dans des boîtiers réduits à 8 broches. Grâce au protocole quad-SPI ou SQITM, ils atteignent des vitesses de 80 Mbit/s, qui permettent des temps de cycle d’écriture réduits à zéro, avec un déplacement des blocs de données presque instantané, nécessaire pour le chargement des graphismes, la mise en mémoire tampon et l'enregistrement chronologique des données, les affichages, les calculs, l'audio, la vidéo et autres fonctions très consommatrices en données.

Deux autres variantes de la famille, le 23LCV512 et le 23LCV1024, offrent les options les plus économiques en termes de RAM non volatile à endurance illimitée, grâce à la présence d’une batterie de secours, à un coût significativement plus bas que tout autre type de RAM non volatile. Grâce à leur débit rapide dual SPI (SDI) de 40 Mbit/s et à leur faible consommation en mode veille et en mode actif, ces composants NVSRAM série sont très rapides, mais n’ont pas un nombre de broches aussi élevé que les NVSRAM standard, pour une consommation électrique comparable à celle des FRAM, à un coût inférieur. Ils sont particulièrement adaptés aux applications du type compteurs d’énergie, boîtes noires et autres enregistreurs de données, qui requièrent une endurance illimitée ou des cycles d’écriture instantanés en plus d’un stockage des données sur mémoire non volatile.

Grâce à ces nouvelles SRAM de 1 Mbit, les développeurs d'applications embarquées peuvent y introduire utiliser plus de RAM car cela se révèle plus économique que de migrer vers un microcontrôleur ou processeur plus gros. La consommation, le nombre de broches et le prix de revient sont également moins élevés qu’avec des SRAM parallèles. En outre, ces SRAM étant SPI, la compatibilité avec les interfaces série, de plus en plus utilisées, est assurée. En effet, le marché des EEPROM est largement dominé par les interfaces séries, et celui des mémoires Flash est en passe d’effectuer cette transition, car les composants parallèles ont un coût, un encombrement et une consommation électrique plus élevés.

Les six composants de cette nouvelle famille de SRAM sont disponibles en boîtiers SOIC, TSSOP et PDIP à 8 broches, avec des options de densité de mémoire de 512 Kbit et 1 Mbit. Les échantillons des quatre composants de mémoire volatile 23A512, 23LC512, 23A1024 et 23LC1024 sont disponibles dès aujourd’hui, tout comme la production en série. Les échantillons des deux composants non volatiles 23LCV512 et 23LCV1024, devraient l'être, quant à eux, dès le mois de octobre, tout comme leur production en série.