Microchip diversifie son portefeuille d’amplificateurs de puissance RF

Les composants affichent des tensions de fonctionnement aussi faibles que 2,7 V avec une puissance de sortie linéaire atteignant les 18,5 dBm à 2,5% d’EVM utilisant la modulation OFDM 54 Mbit/s conforme à la norme IEEE 802.11g. Pour la norme IEEE 802.11b, ils affichent 23,5 dBm et une efficacité énergétique élevée atteignant les 38 %. Comme ces amplificateurs se présentent en boîtiers QFN 2 mm x 2 mm x 0,45 mm de 8 broches, ils sont idéaux pour les applications WLAN embarquées, pour lesquelles l’encombrement, l’efficacité et le fonctionnement à basse tension sont essentiels. Parmi ces applications, citons les produits électroniques grand public tels que les téléphones portables, les consoles de jeu, les imprimantes et les tablettes numériques.

Grâce à ces nouveaux amplificateurs de puissance RF, les développeurs peuvent améliorer la durée de vie des batteries en associant une efficacité énergétique élevée (prévenant la décharge des batteries) à de faibles tensions de fonctionnement. Les E/S adaptées du SST12LP17E sont faciles à utiliser et permettent de réduire les délais de mise sur le marché, et de réduire l’encombrement sur la carte, puisqu'aucun composant compatible RF externe n'est nécessaire et qu'il fonctionne avec un seul condensateur externe. Les échantillons de ces deux amplificateurs de puissance, présentés en boîtiers QFN 2 mm x 2 mm x 0,45 mm de 8 broches, sont disponibles dès à présent.