Jusqu’à +2% d’amélioration du rendement pour les applications à découpage DC-DC avec la nouvelle famille de MOSFET de puissance DirectFET®plus d’IR

Les deux premiers composants DirectFET®plus de cette nouvelle famille, les IRF6811 et IRF6894, présentent une résistance à l’état passant (RDS(on)) et une charge de grille (Qg) réduites par rapport à la précédente génération, pour améliorer le rendement de manière significative, avec un gain pouvant atteindre 2 %. En outre, ces composants présentent une très faible résistance de grille (Rg), ce qui améliore encore le rendement en minimisant les pertes de découpage en conversion DC-DC.

Le nouveau jeu de circuits IRF6811 et IRF6894 bénéficie de la technologie d’encapsulation DirectFET® d’IR et d’une nouvelle génération de technologie silicium optimisant les paramètres clés des MOSFET pour délivrer d’excellentes performances, une fiabilité élevée et un faible encombrement répondant aux besoins à venir de l’informatique.

Le MOSFET de commande IRF6811 est disponible en boîtier Small Can tandis que le MOSFET synchrone IRF6894 est encapsulé en boîtier Medium Can. Ces composants DirectFET®plus 25 V combinent des résistances RDS(on) et Rg parmi les plus faibles de l’industrie et une charge réduite, diminuant les pertes en conduction et en découpage. L’IRF6894 intègre également une diode Schottky limitant les pertes liées à la conduction et au recouvrement inverse au niveau de la diode. Ces nouveaux MOSFET DirectFET®plus sont compatibles broche à broche avec les modèles de la génération précédente.