IR étend sa famille de MOSFET qualifiés pour l’automobile et dotés d’une faible résistance à l’état passant

Présentant une RDS(on) aussi faible que 2,6 mOhms à 55 V, les composants de cette famille s’échelonnent de 40 V à 100 V, avec notamment les premiers modèles 75 V. Outre ces tensions plus élevées convenant parfaitement aux systèmes 24 V des camions, plusieurs de ces circuits affichent une caractéristique de courant maximal révisée à 240 A en boîtier D2Pak-7P et à 195 A en boîtier D2Pak.

Les MOSFET automobiles d’IR bénéficient de tests de comportement statique et dynamique, de l’inspection visuelle des tranches, automatisée à 100 %, et de la démarche qualité d’IR visant le zéro défaut en automobile. La conformité AEC-Q101 impose une modification de la RDS(on) inférieure à 20 % après 1000 cycles de test en température. Toutefois, en test élargi, les nouveaux composants d’IR ont démontré un changement de RDS(on) inférieur à 10 % après 5000 cycles, prouvant la robustesse de leurs matériaux.

Ces nouveaux composants sont conformes aux standards AEC-Q101 et utilisent des matériaux écologiques, sans plomb et conformes avec la spécification RoHS. Des datasheets et des rapports de qualification sont disponibles sur le site Web d’International Rectifier, www.irf.com.