IR lance une famille de MOSFET Planar, robustes et qualifiés pour l’automobile

Exploitant la technologie Planar éprouvée d’IR, cette nouvelle famille de composants comprend des MOSFET à canal N 55 V et 150 V à commande de grille standard, et des MOSFET canal P -55 V et -100 V à commande de grille standard qui conviennent aux applications de découpage côté haut, ne nécessitant pas de pompe de charge additionnelle pour la commande de grille. Les MOSFET à canal N 30 V, 55 V et 100 V à commande de grille à niveau logique simplifient, eux, la commande de grille et aident à réduire l’encombrement et le nombre de composants sur le circuit imprimé. Tous ces nouveaux composants sont optimisés pour offrir une faible résistance à l’état passant (Rds(on)).

Ils sont conformes aux standards AEC-Q101, utilisent des matériaux écologiques, sans plomb et conformes aux exigences RoHS, et font partie de l’initiative d’IR visant le zéro défaut dans l’automobile.

Dans le cadre de cette démarche, tous les MOSFET automobiles d’IR bénéficient de tests de comportement statique et dynamique, et de 100% d’inspection visuelle automatisée des tranches. La conformité AEC-Q101 impose une modification de la RDS(on) inférieure à 20 % après 1000 cycles de test en température. Toutefois, en test élargi, les nouveaux composants d’IR ont démontré un changement de RDS(on) inférieur à 12 % après 5000 cycles, prouvant la robustesse de leurs matériaux.