French

La seconde génération de microcontrôleurs 8 bits Fujitsu avec mémoire FRAM intégrée fournit des caractéristiques clés

27th September 2010
ES Admin
0
La mémoire FRAM intégrée au microcontrôleur a réduit l’empreinte totale et le coût tout en simplifiant la conception du système. La nature haute-vitesse non-volatile de la mémoire FRAM offre un autre avantage unique en son genre : elle écrit si rapidement que le microcontrôleur n’a pas besoin d’attendre la fin de l’opération d’écriture (voir plus bas pour les autres avantages). L’architecture élimine les interconnexions entre puces, ce qui améliore considérablement la vitesse des transactions et l’interface bus interne entre le microcontrôleur et la mémoire, permettant ainsi des performances incomparables, jamais atteintes par Flash ou E2PROM.
Le MB95R203A est idéal pour une multitude d’applications polyvalentes, notamment pour les équipements de mesure, les produits électroniques grand public, le domaine de la santé et les systèmes industriels.

Le nouveau microcontrôleur est le dernier successeur des microcontrôleurs 8 bits haute performance de la famille des Fujitsu F2MC-8FX. Il intègre une mémoire FRAM non-volatile à la fine pointe de la technologie présentant de très hautes vitesses d’accès et la capacité de conserver des données en mémoire sans mise sous tension. En raison d’un voltage d’écriture interne réduit, la mémoire FRAM peut être effacée et réécrite 100 000 fois plus souvent que son prédécesseur. L’endurance de lecture / écriture est spécifiée comme étant de l’ordre de 1015 fois avec une sauvegarde des données garantie sur 10 ans. En supposant que la mémoire soit accessible en quatre cycles à un taux constant de 10 MHz, cela signifie qu’il faudrait plus de 12,5 années pour épuiser le matériel ferroélectrique.

Le MB95R203A intègre 8 Ko de mémoire FRAM accessible à l’utilisateur ; cette mémoire peut être partitionnée aussi bien en mémoire morte (ROM) qu’en mémoire vive (RAM). La capacité d’interchanger facilement des données et l’espace de mémoire de travail rend le dispositif idéal pour une variété d’applications différentes et pour les exigences de programmation.

Le MB95R203A de Fujitsu fonctionne avec des alimentations en courant allant de 1,8 à 3,6 V (les alimentations de 1,8 V sont généralement utilisées pour les équipements de santé domestiques, tels que les mesureurs de tension et de glycémie). Il intègre une gamme complète de fonctions de minuteries et de communication, ainsi que des convertisseurs haute précision A/D, des ports UART, I²C et 16 I/O. Le contrôleur utilise le débogage en ligne sur puce qui ne nécessite qu’une seule broche du microcontrôleur. Un circuit oscillateur intégré maximise le nombre de broches disponibles pour une utilisation dans des compteurs intelligents, des équipements grand public, des outillages électriques et d’autres designs de produit.

Le MB95R203A est livré en packs SOP à 20 broches. Des échantillons sont disponibles dès maintenant, les quantités de production seront, quant à elles, prêtes à la fin du mois de novembre 2010. Une boîte à outils compréhensible et facile à utiliser est également disponible.

Avantages d’une mémoire FRAM intégrée

En complément à son endurance, à son accès grande vitesse et à sa basse consommation d’énergie, la mémoire FRAM intègre une protection anti-piratage pour améliorer la sécurité des données. La nature haute-vitesse non-volatile de la mémoire FRAM offre un autre avantage unique en son genre : elle écrit si rapidement que le microcontrôleur n’a pas besoin d’attendre la fin de l’opération d’écriture. L’opération d’écriture haute vitesse permet aux données d’être écrites rapidement, même en cas de perte de courant subite. Lorsque le courant est rétabli, le microcontrôleur peut reprendre les opérations depuis leur état précédent. Cette capacité est utile pour les applications requérant le stockage instantané de données importantes et la restauration rapide des opérations après des périodes de coupure.

En complément, le code de programmation peut être réduit, car il n’est pas nécessaire de questionner la mémoire pour terminer une opération d’écriture, processus requis par une mémoire conventionnelle. L’opération est terminée avant que le questionnement n’ait lieu. La mémoire FRAM ne nécessite pas de code pour le « wear levelling » qui est courant en ce qui concerne les mémoires Flash ou E2PROM en raison de leurs cycles d’endurance réduits. Le cycle d’endurance bien plus long de la mémoire FRAM rend le « wear levelling » inutile.

Featured products

Upcoming Events

View all events
Newsletter
Latest global electronics news
© Copyright 2024 Electronic Specifier