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Toshiba Expands GaN HEMT Product Family with Power Amplifier for Extended Ku-Band Satcom Applications
This week at the 2011 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC*) and its parent company, Toshiba Corp., announced the TGI1314-25L, a gallium nitride (GaN) semiconductor High Electron Mobility Transistor (HEMT), the latest addition to its power amplifier product family.
Laird Technologies Releases White Paper on Wireless Solutions for Star Networks
Laird Technologies, Inc., a global leader in the design and supply of customized performance-critical components and systems for advanced electronics and wireless products, today announced the release of a white paper discussing wireless solutions for key requirements. The white paper, “Moving Beyond Zigbee for Star Networks,” address the requirements of star networks, and the need of finding the correct wireless solution beyond traditional m...
Cypress présente ses mémoires FIFO haute densité
Cette famille inclut des densités atteignant 72 Mbits pour le stockage des flux vidéo dans les applications haut débit, avec une intégrité de signal améliorée
TI lance huit nouveaux contrôleurs de moteurs pas à pas, à balai et courant continu
Comparés à la génération précédente, les nouveaux contrôleurs de moteurs réduisent le RDSon de plus de 60% pour plus d'intensité et une meilleure performance thermique
TI lance un convertisseur DC/DC isolé destiné aux alimentations 2W à faibles bruits
Le convertisseur isolé Fly-Buck™ 2W, 6V est parfaitement compatible avec les systèmes d’acquisitions à hautes sensibilités aux bruits d’alimentations
New functions for the compact broadband amplifier system from Rohde & Schwarz
Rohde & Schwarz adds new functions to its R&S BBA100 broadband amplifier family to create a one-box solution. Integrated RF output switches and sample port switches allow the amplifiers to be used for many applications without the need for external switching matrices. Existing third-party amplifiers can also be integrated into the R&S BBA100 system. The modular design allows users to combine many functions into a compact EMC broadband...
Triquint Semiconductor, Agilent Technologies collaborate on next-generation wireless design flow
TriQuint Semiconductor have announced results for building next-generation RF solutions. This includes enhanced TriQuint process design kits with support for Agilent's Advanced Design System 2011 EDA software and the development of an ADS RF Module PDK for TriQuint's RFIC/MMIC and RF Module integrated design flow.
Double mélangeur, large bande, IIP3 de 26,8 dBm, 300 mW/canal, pour les récepteurs multi-mode 4 G MIMO
Linear Technology annonce le LTC5569, un mélangeur RF double, aux performances élevées, qui présente une combinaison d’un IIP3 (point d’interception d’entrée du 3ème ordre) de 26,8 dBm, de 300 mW par mélangeur et d’une couverture de la gamme de fréquences pour les récepteurs multi-mode 4 G RRH (Remote Radio Head : tête radio déportée) et MIMO (entrée multiple - sortie multiple), de forte densité . Ce mélangeur fonctionne s...
Le chipset et le micrologiciel National Semiconductor SolarMagic permettent de détecter des arcs électriques dans les systèmes photovoltaïques
National Semiconductor a présenté aujourd'hui son design de référence SolarMagic pour la détection d'arc électrique, comprenant des circuits intégrés analogiques frontaux et un micrologiciel de filtrage dynamique multi-bandes. Ce chipset est le premier sur le marché, capable de détecter les arcs électriques dangereux dans les systèmes PV (photovoltaïques).
Avago enrichit de deux séries d'amplificateurs à faible bruit son portefeuille de composants RF et hyperfréquence de pointe destinés aux infrastructures cellulaires
Ces nouvelles séries d'amplificateurs à faible bruit dévoilées à l'IMS 2011 assurent un facteur de bruit et une linéarité supérieures. Ils complètent une vaste gamme de solutions hautes performances pour stations de base