Un RC-IGBT 1800 V à la pointe de l'industrie avec une diode monolithique intégrée

Le composant RC-IGBT (IGBT à conduction inverse) GT40WR21 1800V à canal N comprend une diode de roue libre intégrée sur la puce de l'IGBT. Le boîtier TO-3P(N), équivalant au TO247, me mesure que 15,5 mm x 20 mm x 4,5 mm. Une commutation à ultra haute vitesse est supportée par un temps de descente de tout juste 0,15 µs en typique pour l'IGBT.

Le nouveau dispositif de Toshiba est affiché avec un courant de collecteur (IC) de 40 A et peut traiter des courants de pointe de 80 A pendant 1 ms. La tension typique de saturation se situe à seulement 2,9 V pour 40 A. La dissipation maximale au niveau du collecteur est de 375 W à 25°C. La diode intégrée est spécifiée pour un courant direct de 20 A et supporte un courant de pointe de 80 A (pendant 100 µs).

Comme pour les modèles précédents de la famille IGBT à canal N de Toshiba, le GT40WR21 supporte un fonctionnement à haute température avec une température de jonction (Tj) de 175°C au maximum. Un fonctionnement à haut rendement est assuré grâce à de faibles pertes de commutation.