Toshiba dévoile un process BiCD 130nm pour la prochaine génération de circuits intégrés durcis pour l'automobile

Le process combine des technologies de type bipolaire, CMOS et LDMOS de base avec une isolation en tranchée profonde. Il peut de ce fait s'appliquer à des circuits haute tension jusqu'à 60V, avec des courants de fuite très faibles, en particulier à hautes températures. Ce nouveau process offre une efficacité exceptionnelle au niveau de la gestion de la puissance grâce à la faible résistance en série (RDS(ON)A) de 32mΩ・mm2 à 40V, et de 70mΩ・mm2 à 60V, ainsi qu'une forte densité d'intégration pour les fonctions de contrôle et d'interface de bus grâce à l'utilisation d'une technologie CMOS 130nm.

Côté support technique de ce process, Toshiba propose également de nouvelles technologies de boîtiers de haute densité comme les modèles Heatsink QFP (HQFP) et QFN, ainsi qu'un boîtier puce basé sur une technologie d'encapsulation sur tranches (Wafer-level Chip-Scale, ou WCSP) conçue afin de résister dans un environnement automobile.

Le process BiCD 130 nm de Toshiba est disponible pour le développement de circuits intégrés commerciaux personnalisés. Il constituera aussi la base de futures familles de circuits intégrés pour l'automobile de Toshiba, qui incluront des nœuds LIN pour une série d'applications de contrôle moteur comme, par exemple, des fonctions HVAC variées.

Thomas Kuschel, responsable senior pour le marketing de la division microcomputer, automotive & consumer IC chez Toshiba Electronics Europe, a commenté l'annonce : « La combinaison des règles de dessin 130nm et la possibilité de traiter des courants forts permettra de réaliser des contrôleurs plus petits, plus fiables et et plus intelligents. Les coûts de production seront aussi plus bas qu'avec un process SOI comparable (Silicon On Insulator). Sur le marché automobile, ces avantages se traduiront par des économies de carburant, un plus grand confort et des économies de coût. »