Toshiba annonce un nouveau MOSFET 60V-2,5A à canal N pour booster la charge des batteries

Toshiba Electronics Europe (TEE) introduit un MOSFET de semi-puissance 60 V dans sa gamme de MOSFET (S-MOS) petits signaux. Référencé SSM3K318T, ce nouveau transistor est adapté aux applications dotées d'un rétroéclairage à DEL (diode électroluminescente) dans lesquelles il faut booster la charge des batteries. Dans des terminaux portables, une application de commutation en mode commun peut être alimentée à partir d'une batterie avec un MOSFET basse tension (20 V max.). Toutefois, si ces applications sont équipées d'un rétroéclairage à DEL avec des DEL blanches connectées en série, il est nécessaire de booster la tension d'alimentation à des niveaux plus élevés, selon les besoins de tension drain-source jusqu'à 60 V max. Avec son courant de drain maximum de 2,5 A, le petit MOSFET canal N SSM3K318T de Toshiba apparaît bien placé pour booster une tension de batterie au niveau requis pour alimenter des réseaux de DEL avec une commutation efficace et à grande vitesse.