Toshiba Electronics étend sa gamme de MOSFET de puissance avec des modèles pour montage en surface avec des valeurs de tension atteignant 600 V

Ces MOSFET de puissance associent les dimensions compactes du boîtier DPAK et le procédé de fabrication de semiconducteurs Π-MOS VII de Toshiba. Il en résulte une gamme de composants affichant un rendement élevé, des caractéristiques de commutation rapide, une capacité et une charge de grille (Qg) réduites, une résistance RDS(ON) améliorée et de meilleurs rapports coût/performance par comparaison avec les générations précédentes. La durée d'avalanche est en outre garantie.

Avec une tension VDSS de 500 V, les MOSFET TK3P50D, TK4P50D, TK5P50D et TK7P50D affichent respectivement des valeurs de courant (ID) de 3 A, 4 A, 5 A et 7 A. Les TK5P53D et TK6P53D sont spécifiés à 525 V et offrent des valeurs de courant respectives de 5 A et 6 A. A la tension de 500 V, les TK3P55DA, TK4P55DA et TK4P55 D fournissent des courants respectifs de 2,5 A, 3,5 A et 4 A. Enfin, à 600 V, les valeurs de courant des TK2P60D, TK4P60DA et TK4P60DB sont respectivement 2 A, 3,5 A et 3,7 A.

La gamme des valeurs maximales de la résistance RDS(ON) s'étend de 1,22 Ω à 4,3 Ω, selon le composant choisi.