SemiSouth double l’intensité nominale de ses diodes SiC en boîtier DPAK, qui passe de 5 A à 10A

La diode SDB10S120 1200 V / 10 A présente un coefficient de température positif pour faciliter sa mise en parallèle. Sa réponse en commutation est indépendante de la température et sa température de fonctionnement maximum est de 175°C. Son courant direct et son courant de recouvrement inverse sont nuls. Sa charge capacitive totale est de 40 nC. Le boîtier DPAK de type TO-252-2L n’a que deux pattes ; une fois monté, son empreinte nominale est de 9,8 x 6,6 mm et sa hauteur de juste 2,29 mm.

Avec ces diodes 1200 V / 10 A, nous renforçons notre position de leader du carbure de silicium, déclare Dieter Liesabeths, Senior VP Ventes et Marketing de SemiSouth. Nous apportons plus de performance et d’espace aux applications d’onduleurs solaires, d’alimentations à découpage, de chauffage par induction, d’alimentations secourues et de commandes de moteur, ainsi que de correction de facteur de puissance.

Les nouvelles diodes sont en cours d’échantillonnage et leur production en volume démarre en juin 2012. Le prix unitaire est de 8,66 $ par 1000 pièces.