Diodes Incorporated introduit le premier produit en boîtier powerdi5060 à performances thermiques renforcées

Avec une résistance thermique jonction-boîtier (Rthj-c) de 2,1°C/W, le boîtier powerDI5060 présente une résistance thermique 10 fois plus faible qu'un SO8 équivalent ; ce qui améliore la dissipation et permet au produit final de fonctionner en dégageant moins de chaleur, donc en augmentant la fiabilité du design. Il occupe 1,1 mm de hauteur au-dessus de la carte, soit 54% moins qu'un SO8, ce qui l'adapte bien aux applications bas profil.

Une plaque de dissipation de grande taille réduit significativement l'inductance et la résistance du boîtier powerdi5060, ce qui augmente fortement la performance du MOSFET canal p. La résistance à l'état passant typique du DMP3010LPS étant de 7,8m ? pour une tension Vgs de 10 V, les pertes à l'état passant sont efficacement minimisées dans les applications de commutation de charge et de charge de batteries.