IR étend son catalogue de MOSFET de puissance moyenne tension en boîtier PQFN en utilisant une technologie de clip cuivre

Bénéficiant de la toute dernière technologie silicium d’IR pour offrir des performances de référence, ces nouveaux MOSFET de puissance sont conçus pour les applications de commutation telles que les convertisseurs DC-DC pour équipements réseaux et télécoms, les alimentations à découpage AC-DC et la commande de moteur. Disponibles dans une large gamme de tensions allant de 40 V à 250 V, ces composants présentent divers niveaux de résistance à l’état passant (RDS(on)) et de charge de grille (Qg) pour offrir aux utilisateurs des performances et un coût optimisés en fonction de leur application.



En plus d’une hauteur réduite à 0,9 mm et d’un brochage standardisé dans l’industrie, le courant élevé et la faible RDS(on) de ces composants permettent un rendement, une densité de puissance et une fiabilité supérieurs à ceux des solutions alternatives nécessitant plusieurs puces en parallèle. Ils conviennent donc particulièrement bien aux applications de commutation dont l’encombrement se trouve limité sur la carte.



Tous ces composants présentent une faible résistance thermique (<0,5 °C/W), répondent au standard industriel MSL1 et à la norme RoHS, et ne contiennent pas de plomb, de bromure ou d’halogène