IR lance une famille de MOSFET robustes, qualifiés pour l’automobile et optimisés pour offrir une faible résistance à l’état passant

Bénéficiant de la technologie éprouvée d’IR Gen 10.2, ces nouveaux composants présentent une résistance à l’état passant aussi faible que 1,0 mOhm (maximum) et sont disponibles sur des gammes de tension de 24V à 100V et en plusieurs boîtiers traversants ou montage en surface. Plusieurs de ces composants sont spécifiés pour un courant maximum de 240A en boîtier D2Pak-7P et 195A en D2Pak.

Dans le cadre de la démarche qualité automobile d’IR visant au zéro défaut, les MOSFET automobiles d’IR sont sujets à des tests statiques et dynamiques combinés à une inspection visuelle sur tranche automatisée à 100 %. La qualification AEC-Q101 nécessite que la résistance RDS(on) ne soit pas modifiée de plus de 20 % après un test de 1000 cycles de température. Toutefois, dans ses tests étendus, la nouvelle liste de matériaux automobiles (AU Bill of Materials) d’IR a démontré une variation de la résistance RDS(on) inférieure à 10 % en 5000 cycles de température, démontrant sa solidité et sa robustesse.

Ces nouveaux composants sont conformes aux standards AEC-Q101 et présentent une liste de matériaux écologiques, sans plomb et conformes RoHS.