IR lance des MOSFET de puissance DirectFET®2 pour les amplificateurs audio automobiles en classe D

Les AUIRF7640S2, AUIRF7647S2 et AUIRF7675M2 étendent le catalogue d’IR en MOSFET de puissance DirectFET®2 pour l’automobile. Avec leur faible charge de grille (Qg), ils sont optimisés pour améliorer la distorsion harmonique totale (THD) et le rendement, tandis que leur faible charge de diode inverse (Qrr) abaisse encore la THD et réduit les émissions électromagnétiques (EMI).

Avec un encombrement inférieur à celui d’un SO-8, les modèles AUIRF7640S2 et AUIRF7647S2 en petit boîtier délivrent jusqu’à 100W par canal sur une charge de 8 Ohms sans dissipateur. Ils constituent ainsi une solution classe D extrêmement compacte, idéale pour économiser l’espace sur le circuit imprimé lorsque plusieurs canaux de sortie sont nécessaires. 54 % plus petit qu’un DPak, le boîtier moyen de l’AUIRF7675M2 délivre jusqu’à 250 W par canal sur une charge de 4 Ohms sans dissipateur, ce qui le destine notamment aux caissons de basse des systèmes audio classe D.

Comme pour tous les produits DirectFET®, ces nouveaux composants présentent une impédance thermique et des résistance et inductance de boîtier parasites minimales pour offrir une excellente densité de puissance et un haut rendement, aidés en cela par le refroidissement sur les deux faces.

Ces composants sont conformes aux standards AEC-Q101, utilisent des matériaux écologiques, sans plomb et conformes RoHS, et font partie du programme de qualité automobile d’IR visant le zéro défaut.