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IR lance une famille de MOSFET de puissance -30V à 100V en boîtier SOT-23
La dernière famille de MOSFET HEXFET de puissance d’International Rectifier combine une résistance à l’état passant (RDS(on)) extrêmement faible et un boîtier SOT-23 standard. Elle vise les applications telles que les commutateurs de charge et de décharge de batterie, les commutateurs de système et de charge, la commande de moteur à faible charge et les équipements télécoms.
Tirant profit de la dernière technologie silicium moyenne tension d’IR, ces nouveaux composants MOSFET SOT-23 apportent, pour une application donnée, une amélioration notable en gestion de courant avec une RDS(on) jusqu’à 90 % plus faible, et permet d’offrir ainsi à l’utilisateur des performances et un prix optimisés.Cette nouvelle famille de MOSFET SOT-23 couvre une large gamme de tensions allant de -30V à 100V avec différents niveaux de RDS(on) et de charge de grille (Qg), proposant ainsi un large panel d’options aux concepteurs qui recherchent une solution compacte, efficace et économique.
Ces composants sont conformes au standard de sensibilité à l’humidité niveau 1 (MSL1) et à la norme RoHS, et sont garantis sans plomb.
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MAX17793
Analog Devices Inc.
3V to 80V, 3A, High-Efficiency, Synchronous Step-Down DC-DC Converter
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IO-Link Data Link Controller with Transceiver and Integrated DC-DC
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