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IR lance le jeu de circuits MOSFET DirectFET® IRF6708S2 et IRF6728M destiné aux applications DC-DC de faible coût.

6th January 2011

International Rectifier

ES Admin

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International Rectifier présente le jeu de circuits MOSFET DirectFET® 30 Volt IRF6708S2 et IRF6728M, optimisé pour les abaisseurs de tension synchrones, tension d’entrée jusqu’à 19 Volt, à bas coût. Les composants IRF6708S2 (boîtier Small Can) et IRF6728M (Medium Can) permettent de réduire le nombre de composants de 30 % et donc le coût total du système. Ces nouveaux MOSFET DirectFET présentent une faible charge de grille et une résistance à l’état passant RDS(on) réduite, afin de minimiser les pertes en conduction et en commutation. L’IRF6728M embarque également une diode Schottky intégrée, qui limite les pertes associées à la conduction et au recouvrement inverse dans la diode.

En délivrant une solution économique et à fort rendement pour les applications de découpage DC-DC, avec l’assurance des hautes performances thermiques de la technologie DirectFET, le jeu de circuits IRF6708S2 et IRF6728M offre un excellent rapport qualité/prix.

Les IRF6708S2 et IRF6728M bénéficient de la dernière génération de silicium MOSFET 30 V d’IR. En plus des faibles charges de grille et RDS(on), ces nouveaux composants tirent parti de la faible inductance et résistance parasite lié au boitier, et de la forte capacité de refroidissement du boîtier DirectFET.