Les transistors de petites tailles de Diodes Incorporated contribuent à la miniaturisation des produits

Avec une empreinte de seulement 1,1 mm x 1,4 mm et une hauteur sur carte de 0,5 mm, les transistors complémentaires ZXTN26020DMF et ZXTP26020DMF permettent une miniaturisation des dispositifs portables tout en offrant des améliorations des performances électrique et thermique.

Ces transistors sont adaptés à la commande de grille d'IGBT et de MOSFET, à la conversion continu-continu et à des tâches générales de commutation. Ils constituent une solution de remplacement peu gourmande en taille par comparaison avec des boîtiers SOT23 bien plus grands et fournissent une excellente performance thermique grâce a une dissipation minimale de 0,38 W sur un circuit imprimé en FR-4.

Gain élevé, faible saturation et commutation rapide caractérisent ces composants bipolaires, qui affichent aussi une très forte aptitude en courant continu. Les valeurs maximales de courant sur le collecteur s'élèvent à 1,5 A pour le transistor NPN et à -1,25 A pour le transistor PNP ; valeurs qui n'existent avec aucun boîtier aussi petit.