Des MOSFET sertis dans un nouveau boîtier SMD0.2 breveté réduisent fortement la taille et le poids du système dans les applications spatiales

Breveté par IR, ce nouveau boîtier SMD0.2 compact et hermétique, utilise de la céramique en nitrure d’aluminium (AlN) pour une meilleure conductivité thermique. Il a été spécialement conçu pour les MOSFET RAD-Hard et répond aux besoins des concepteurs d’alimentations développant des systèmes à taille et poids réduits. Avec un encombrement de 0,3” x 0,2” x 0,1” (8mm x 5mm x 3mm) et un poids de 0,25 g, ce boîtier SMD0.2 de type montage en surface, est 50 % plus petit et 75 % plus léger que les boîtiers SMD0.5 existants, tout en dissipant le même niveau de puissance de 23 W environ.



Cette nouvelle famille de composants conjugue l’héritage d’IR en technologie de MOSFET durcis, avec ce boîtier innovant pour aider les concepteurs à répondre aux défis posés par les applications spatiales, qui exigent des solutions toujours plus petites, légères et fiables.



Ces nouveaux transistors tirent parti de la technologie éprouvée de MOSFET RAD-Hard d’IR. Ils sont disponibles pour des doses totales de 100 krad(Si) et 300 krad(Si), avec une caractéristique SEE de 85MeV/(mg/cm2). Des modèles canal N et P, niveau standard et niveau logique sont également disponibles, ainsi que, sur demande, des versions supportant des tensions autres que 100 V. Le boîtier SMD0.2 est disponible avec des couvercles métalliques ou en céramique.



Les commandes en volume sont d’ores et déjà possibles. Les datasheets, dimensions de boîtiers et brochages sont disponibles sur le site Web d’International Rectifier, www.irf.com. Ces composants sont soumis aux réglementations et lois américaines relatives au contrôle des exportations.