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De nouveaux MOSFET auto-protégés de Diodes Incorporated renforcent la protection des charges inductives
Diodes Incorporated enrichit sa famille de MOSFET auto-protégés IntelliFET® en introduisant les ZXMS6006DG/SG (monocanal) et ZXMS6006DT8 (double canal). Ces MOSFET canal N de 60 V, 75 m? typique intègrent des fonctions d'arrêt thermique et de protection contre les courts-circuits, les surtensions, les surintensités et les décharges électrostatiques, ce qui augmente spectaculairement la fiabilité des circuits. Destinés aux applications automobiles et industrielles, ces MOSFET auto-protégés sont idéaux pour les charges inductives comme les moteurs, les relais et lampes basse fréquence.
Le ZXMS6006DT8 double canal applique les protections contre les pics de température, les surintensités, surtensions et décharges électrostatiques sur ses deux canaux de commutation indépendants et isolés. Fourni en boîtier SM8 d'excellentes caractéristiques thermiques, son efficacité thermique est supérieure de 30% à celle de composants concurrents en boîtiers SO8, ce qui diminue la température des applications finales et les rend plus fiables.
Les dispositifs monocanal sont encapsulés en boîtier compact SOT223 à forte dissipation thermique, la languette de refroidissement étant connectée au drain pour le ZXMS6006DG et à la source pour le ZXMS6006SG ; ils représentent une alternative économique aux solutions concurrentes. Les ZXMS6006DG/SG ont un courant de charge nominal de 2,8 A, une tension d'entrée de 5 V et une énergie d'avalanche de 490 mJ.
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